名古屋大学与特定国立研究开发法人物质・材料研究机构（以下略称为NIMS）分别在本大学和NIMS，设立"天野・小出共同研究实验室"。以此加强两机构的联系，加速新时代半导体GaN（氮化镓）的研究开发，尽快运用到实际社会当中。在此同时共同推进有关GaN结晶以及GaN功率用半导体设置（power semiconductor device）的评价技术的研发。
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名古屋大学与特定国立研究开发法人物质・材料研究机构（以下略称为NIMS）分别在本大学和NIMS，设立"天野・小出共同研究实验室"。以此加强两机构的联系，加速新时代半导体GaN（氮化镓）的研究开发，尽快运用到实际社会当中。在此同时共同推进有关GaN结晶以及GaN功率用半导体设置（power semiconductor device）的评价技术的研发。
